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| 專利名稱(中) | 用於多層半導體裝置的檢測方法 |
| 專利名稱(英) | INSPECTION METHOD FOR MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 專利家族 |
中華民國：I777576 美國：11,313,670 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 衛子健,徐米克,黎德英 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種用於多層半導體裝置的檢測方法。此檢測方法可以調查多層半導體裝置的多層集合體，並通過利用關注材料的吸收邊緣（absorption edges）並獲得校正品質曲線來獲得多層半導體裝置中每一層的層厚度地圖(stratigraphic thickness map, ST map)。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李馥如 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #34576 |
| 承辦人Email | fujulee@mx.nthu.edu.tw |
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