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| 專利名稱(中) | 二維半導體元件、光電單元與二維半導體元件的製造方法 |
| 專利名稱(英) | Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device |
| 專利家族 |
中華民國：I698932 大陸：CN111769201B 美國：11,183,568 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 張鋅權,陳俊安,李奕賢,賴映佑,陳奕彤 |
| 技術領域 | 光電光學,材料化工,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明主要提出一種二維半導體元件，包括：一二維半導體材料層、一超強酸作用層與一超強酸溶液；其中，該二維半導體材料層係由具半導體特性的過渡金屬硫化物材料製成，且該超強酸作用層係形成於該二維半導體材料層之上。特別地，本發明之製造方法以氧化物材料製成所述超強酸作用層，並接著超強酸溶液應用於該超強酸作用層，令該超強酸溶液可以藉由擴散作用進入該超強酸作用層之中。並且，實驗結果係證實，利用擴散作用令超強酸溶液被包含於所述超強酸作用層之中，這樣不僅可以使用超強酸溶液對二維半導體材料層執行化學處理，同時超強酸溶液於該二維半導體材料層之上所實現的發光效率增強效果，其亦不會因為二維半導體材料層於進行後續製程步驟時接觸水與/或有機溶劑而消失。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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