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| 專利名稱(英) | Ferroelectric material for ferroelectric devices |
| 專利家族 |
美國：7,332,760 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 吳泰伯,洪正隆 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
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| A ferroelectric material includes a superlattice structure having lead zirconate layers and barium zirconate layers such that the superlattice structure has remanent polarization exhibiting a linearly positive dependency on a driving voltage. |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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