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專利名稱(中)	旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體
專利名稱(英)	SPIN ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
專利家族	中華民國：I875166 大陸：CN 119545808 A(公開號) 美國：US-2025-0081857-A1(公開號)
專利權人	國立清華大學 100.00%
發明人	賴志煌
技術領域	材料化工,電子電機

專利摘要(中)
一種自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT MRAM），至少包括自旋電流源合金層、鐵磁性自由層與絕緣層。所述自旋電流源合金層為鎳鎢合金層，所述鐵磁性自由層位於自旋電流源合金層上，所述絕緣層位於鐵磁性自由層上。由於鎳鎢合金層具有良好之垂直異向性並且能維持高自旋霍爾角，所以適合作為自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體的自旋電流源。

專利摘要(中)

一種自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT MRAM），至少包括自旋電流源合金層、鐵磁性自由層與絕緣層。所述自旋電流源合金層為鎳鎢合金層，所述鐵磁性自由層位於自旋電流源合金層上，所述絕緣層位於鐵磁性自由層上。由於鎳鎢合金層具有良好之垂直異向性並且能維持高自旋霍爾角，所以適合作為自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體的自旋電流源。

專利摘要(英)
A spin orbit torque magnetoresistive random access memory (SOT MRAM) includes at least a spin current source alloy layer, a ferromagnetic free layer, and an insulation layer. The spin current source alloy layer is a nickel-tungsten alloy layer. The ferromagnetic free layer is located on the spin current source alloy layer. The insulation layer is located on the ferromagnetic free layer. Since the nickel-tungsten alloy layer has favorable perpendicular magnetic anisotropic and can maintain a high spin Hall angle, it is suitable as a spin current source for the SOT MRAM.

專利摘要(英)

A spin orbit torque magnetoresistive random access memory (SOT MRAM) includes at least a spin current source alloy layer, a ferromagnetic free layer, and an insulation layer. The spin current source alloy layer is a nickel-tungsten alloy layer. The ferromagnetic free layer is located on the spin current source alloy layer. The insulation layer is located on the ferromagnetic free layer. Since the nickel-tungsten alloy layer has favorable perpendicular magnetic anisotropic and can maintain a high spin Hall angle, it is suitable as a spin current source for the SOT MRAM.

聯絡資訊
承辦人姓名	楊美茹
承辦人電話	03-5715131 #62305
承辦人Email	mjyang2@mx.nthu.edu.tw