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| 專利名稱(中) | 位於矽基材表面之微結構以及其製程 |
| 專利家族 |
中華民國：I295274 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 方維倫,朱懷遠 |
| 技術領域 | 機械結構 |
 專利摘要(中) |
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| 本案微結構與其製程，係以(100)矽材料為基礎，藉由一種形成於該(100)矽材料之抗蝕刻屏障，結合濕式的非等向性化學蝕刻(anisotropic wet chemical etching)以及乾式的深活性離子蝕刻(Deep Reactive Ion Etching，以下簡稱DRIE)來形成微結構(大小以毫米、微米計量之結構)。由於運用了各技術方案之優點，同時免於各技術方案之諸缺點，本案提供各式各樣不同形狀且未見於習知方案的微結構，尤其是利用同一片矽基材形成各式各樣未見於習知方案的微結構。 |
| 專利摘要(英) |
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| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 劉千綺 |
| 承辦人電話 | 03-571-5131 #31181 |
| 承辦人Email | chienchi@mx.nthu.edu.tw |
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