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專利名稱(中) 具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法
專利家族 中華民國：I722502
大陸：6309719
美國：11,121,235
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 黃智方,江政毅,王勝弘,洪嘉慶
技術領域 材料化工,能源科技,電子電機
專利摘要(中)
本发明揭露一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法，第IVA族离子注入层设置于基极之中，且第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，第IVA族离子注入层用来改变结构的一通道的性质。本发明提出的第IVA族离子注入的金属氧化物半导体场效应晶体管的结构与制造方法可用来改善栅极氧化层品质，提升场效电子迁移率。
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承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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