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| 專利名稱(中) | 半導體元件及其製造方法 |
| 專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 專利家族 |
中華民國：I808732 美國：2023-0343579(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 邱博文,葉昭輝 |
| 技術領域 | 光電光學,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種半導體元件，包括基底、單原子層厚度的底部次層，設置於基底上且位於元件底部，並沿水平面方向延伸排列、單原子層厚度的金屬次層，以沿水平面方向延伸排列的形式上覆於底部次層且電性連接於底部次層、單原子層厚度的頂部次層，以沿水平面方向延伸排列的形式設置於部分金屬次層上方且電性連接於金屬次層以及接觸金屬層，設置於部分的金屬次層上方，接觸金屬層的頂面高於頂部次層的頂面，且接觸金屬層的底層接觸金屬原子與移除頂部次層而裸露的金屬次層原子表面形成對應的鍵結，並且金屬次層與底部次層間維持原對應的鍵結。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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