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| 專利名稱(中) | 具有溝槽式接面蕭基位障二極體的半導體結構 |
| 專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH TRENCH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY (TJBS) DIODE |
| 專利家族 |
中華民國：I773029 大陸：CN114649421A(公開號) 美國：11,810,974 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 黃智方,胡家瑋,林祐安,詹詠翔 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(英) |
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| A semiconductor device includes: a U-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (UMOS) structure; and a trench junction barrier Schottky (TJBS) diode, wherein an insulating layer of a sidewall of the TJBS diode does not have a side gate. |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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