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| 專利名稱(中) | 具有溝槽式接面蕭基位障二極體的半導體結構 |
| 專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH TRENCH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY (TJBS) DIODE |
| 專利家族 |
中華民國：I773029 大陸：7726662 美國：11,810,974 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 黃智方,胡家瑋,林祐安,詹詠翔 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種半導體裝置，包含：一溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體(U-metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，以下簡稱UMOS)結構；以及一溝槽式接面蕭基位障二極體；其中，該溝槽式接面蕭基位障二極體之側壁的一絕緣層內不具備有一側柵極。 |
| 專利摘要(英) |
|---|
| A semiconductor device includes: a U-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (UMOS) structure; and a trench junction barrier Schottky (TJBS) diode, wherein an insulating layer of a sidewall of the TJBS diode does not have a side gate. |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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