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| 專利名稱(中) | 利用介電質共振器來設計負折射率介質 |
| 專利家族 |
中華民國：I423516 美國：8,149,181 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 嚴大任,陳政光,賴岳軍 |
| 技術領域 | 材料化工,通信傳輸,光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明為一種利用介電質共振器來設計負折射率介質，其與複數基板連結設置，其由至少一單位晶格，而不同個該單位晶格之間具有相互垂直的一第一間距與一第二間距的陣列設置於單一個該基板上，且單一個該單位晶格中更設有以一第三間距而間隔設置的一第一立方體與一第二立方體，該第一立方體與該第二立方體的介電常數為大於20，本發明能在縮減製作體積、減少生產成本的前提下，以其具負型折射率性質的材料，使能達到介電損失小，與具有等向性的高產業利用性。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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