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| 專利名稱(中) | 半導體結構 |
| 專利名稱(英) | Semiconductor structure |
| 專利家族 |
中華民國：202335309(公開號) 大陸：CN116666452A(公開號) 美國：2023-0275161(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 黃智方,胡家瑋,許甫任 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明揭露一種半導體結構，包含：一蕭基二極體結構，該蕭基二極體結構包含：一第一N型半導體層、一第一溝槽、一第一絕緣層、至少兩個多晶矽 層(Poly-Si)、一第一P型保護層以及一金屬層；第一溝槽延伸通過第一N型半導體層且設置於第一N型半導體層中；第一絕緣層設置於第一溝槽內；至少兩個多晶矽層設置於該第一溝槽內，上層的多晶矽層與下層的多晶矽層平行設置，且第一絕緣層位於第一溝槽之內；第一P型保護層用以接地且設置於第一溝槽底部，且該第一P型保護層並接觸第一絕緣層與下層的多晶矽層之底面；金屬層分別設置於半導體結構之一上表面與一下底面，以分別形成一源極與一汲極，做為半導體結構與外界連結之電極；金屬層覆蓋與第一溝槽，並在金屬層與第一N型半導體層頂部之交界處具有蕭基接面，且電子累積(Accumulated electrons)區形成在第一絕緣層外側；其中，第一P型保護層之底面與第一N型半導體層之交界面具有一PN接面。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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