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| 專利名稱(中) | 發光二極體及其製造方法 |
| 專利名稱(英) | LIGHT EMITTING DIODE AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME |
| 專利家族 |
中華民國：I370558 美國：7,663,153 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 宣融,趙主立,顧浩民,黃承揚,趙煦 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 一種發光二極體，至少包括一個基板、一個鋸齒狀多層膜、一層第一形態半導體層、一層主動發光層以及一層第二形態半導體層。其中鋸齒狀多層膜是利用自我複製式光子晶體(autocloning photonic crystal)製作方法，在第一形態半導體層底下相對於主動發光層處形成。由於這層鋸齒狀多層膜存在於發光二極體之基板上，所以可將主動發光層背面發散之光線經由此結構反射回收再次利用，使所有光線均集中正向出光，提升發光二極體之光汲取效率。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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