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專利名稱(中) 半導體結構與製作方法
專利家族 中華民國：I487006
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 葉哲良
技術領域 材料化工,能源科技
專利摘要(中)
本發明提供一種半導體結構，其包含有一c-plane藍寶石基板、一奈米結構以及一m-plane氮化鎵磊晶層。奈米結構形成於c-plane藍寶石基板上。m-plane氮化鎵磊晶層形成於c-plane藍寶石基板之奈米結構上。其中，本發明半導體結構之X光搖擺曲線的半峰全幅值係316角秒。此外，本發明半導體結構之方均根表面粗糙度係0.3奈米，滿足於今日方均根表面粗糙度須小於±0.5奈米的製造需求。
聯絡資訊
承辦人姓名 劉千綺
承辦人電話 03-571-5131 #31181
承辦人Email chienchi@mx.nthu.edu.tw
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