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專利名稱(中) 具增強的、可調適的低頻雜訊之多閘極場效電晶體
專利名稱(英) MULTI-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH ENHANCED AND ADAPTABLE LOW-FREQUENCY NOISE
專利家族 中華民國：I418034
美國：8,604,549
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 邱當榮,龔正,陳新
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
一種FET，在STI上有額外的閘極，用來增強及調適STI-矽界面引發的低頻雜訊。藉由改變該STI閘極的電壓，該FET可調適的低頻雜訊超過萬倍。此FET相容於標準CMOS邏輯製程，不需要額外的光罩及改變製程。
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承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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