專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 奈米晶及其製作方法 |
專利名稱(英) | Nanocrystalline and method of making the same |
專利家族 |
中華民國:202403018(公開號) 美國:US2024/0023357A1(公開號) |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 陳學仕,葉常偉,陳遠 |
技術領域 | 材料化工,光電光學 |
專利摘要(中) |
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本發明提供一種螢光發光效率佳之奈米晶,包括一核體及一外殼層。 該核體具有至少由三元之元素構成並具閃鋅礦晶體結構的內核及摻雜元素,該內 核的構成元素選自IB族、IIIA族及VIA族,該摻雜元素選自IB族、IIB族及IIIA族的其中至少一者,且該摻雜元素為非均勻的摻雜於該內核。 該外殼層包覆該核體,由至少二元以上之元素構成,且該等元素選自IIB族及VIA族或IIIA族及VIA族。此外,本發明還提供一種製備該奈米晶的方法。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 楊美茹 |
承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |