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專利名稱(中)	半導體量子點及其製法
專利名稱(英)	Semiconductor quantum dots and method for making the same
專利家族	中華民國：202406833(公開號) 美國：US2024/0052241A1(公開號)
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	陳學仕,葉常偉,陳政揚
技術領域	材料化工,光電光學

專利摘要(中)
一種半導體量子點，包含核及M2C2殼。核包括M1C1晶種、成長於M1C1晶種上的M1C1核層，及成長於M1C1核層上的阻障層。M1C1晶種具有不傾向於氧化、傾向於氧化的第一、二區。M1C1核層具有位於M1C1晶種的各第一區的第一區域，與位於M1C1晶種的各第二區的第二區域，且第一區域厚度大於第二區域厚度。阻障層是由M1X1或X2C1所製成。該M2C2殼成長於該阻障層上以包覆該核。M1是選自Al、Ga、In或其組合，C1是選自P、As，或其組合；X1是選自N、As、S、Se、Te、F、Cl、Br或I；X2是選自Na、K、Cs、Mg、Cu、Zn、Cd、Hg、Al、Ga或Pb；M2是選自Zn、Cd或其組合，C2是選自S、Se、O、Te或其組合。

專利摘要(中)

一種半導體量子點，包含核及M2C2殼。核包括M1C1晶種、成長於M1C1晶種上的M1C1核層，及成長於M1C1核層上的阻障層。M1C1晶種具有不傾向於氧化、傾向於氧化的第一、二區。M1C1核層具有位於M1C1晶種的各第一區的第一區域，與位於M1C1晶種的各第二區的第二區域，且第一區域厚度大於第二區域厚度。阻障層是由M1X1或X2C1所製成。該M2C2殼成長於該阻障層上以包覆該核。M1是選自Al、Ga、In或其組合，C1是選自P、As，或其組合；X1是選自N、As、S、Se、Te、F、Cl、Br或I；X2是選自Na、K、Cs、Mg、Cu、Zn、Cd、Hg、Al、Ga或Pb；M2是選自Zn、Cd或其組合，C2是選自S、Se、O、Te或其組合。

聯絡資訊
承辦人姓名	楊美茹
承辦人電話	03-5715131 #62305
承辦人Email	mjyang2@mx.nthu.edu.tw