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| 專利名稱(中) | P通道快閃記憶體裝置 |
| 專利名稱(英) | A NOVEL P-CHANNEL FLASH MEMORY DEVICE |
| 專利家族 |
中華民國：I299563 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 張廖貴術,王啟照 |
| 技術領域 | 資訊工程,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種可以高速寫入的P通道快閃記憶體裝置。利用矽化鍺合金或純鍺等半導體材料取代傳統P通道快閃記憶的矽通道,並以帶對帶穿遂誘發熱電子(Band to Band Tunneling Induced Hot Electron,BBHE)的寫入機制來操作此元件裝置,進而提高P通道快閃記憶體的寫入速度。此外,選擇性地形成單晶矽磊晶層於矽化鍺合金或純鍺通道之上,來改善P通道快閃記憶之穿遂氧化層與含鍺通道間的介面性質。矽化鍺合金與純鍺等材料應用於P通道快閃記憶體,除可高速操作外,亦可於低電壓操作,並維持相同的寫入速度。 |
| 專利摘要(英) |
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| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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