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專利名稱(中)	二維半導體及其製造方法
專利名稱(英)	TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
專利家族	中華民國：I820706 美國：2023-0369478(公開號)
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	邱博文,葉昭輝
技術領域	材料化工,光電光學,電子電機

專利摘要(中)
一種二維半導體，其用以接觸二金屬，且包含一第一半導體層以及複數第二半導體層。第一半導體層包含一通道區及二金屬接觸區。二金屬接觸區分別連接於通道區的二側。第二半導體層與第一半導體層的二金屬接觸區分別形成具有第二型能帶接合之複數異質接面，其中異質接面間隔排列。藉此，可降低接觸電阻。

專利摘要(中)

一種二維半導體，其用以接觸二金屬，且包含一第一半導體層以及複數第二半導體層。第一半導體層包含一通道區及二金屬接觸區。二金屬接觸區分別連接於通道區的二側。第二半導體層與第一半導體層的二金屬接觸區分別形成具有第二型能帶接合之複數異質接面，其中異質接面間隔排列。藉此，可降低接觸電阻。