專利授權區
國立清華大學國際產學營運總中心 > 智財技轉組 > 專利授權區
搜尋專利授權區
選單
專利授權區
 專利授權區 |
|
|---|---|
| 專利名稱(中) | 一種在（１００）矽基板上成長碳化矽薄膜的方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I449087 美國：7,763,529 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 陳建成,黃智方,黃振昌,陳威佑 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 本創作係為一種異質成長碳化矽薄膜製程，藉由射頻感應加熱化學氣相沉積法，於P型(100)矽基板上成長立方晶型碳化矽(3C-SiC)薄膜，此一製程方法為連續升溫製程，免去了一般碳化矽製程重複升降溫步驟，大幅縮短製程時間。利用本創作製程能成功消除碳化矽薄膜與矽介面的孔洞，有效提升薄膜的結晶性。本創作之四階段連續升溫製程將更適合產業發展高品質碳化矽薄膜。 |
| 專利摘要(英) |
|---|
| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
|
|---|---|
| 承辦人姓名 | 李佳玲 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62300 |
| 承辦人Email | cl.lee@mx.nthu.edu.tw |
我有興趣
BACK
