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| 專利名稱(中) | 於一塑膠基材上形成一分子拓印高分子薄膜之方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I427111 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 林志中,張柏翔,洪健中 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 一種於一塑膠基材上形成一分子拓印高分子薄膜之方法包含：(a)將一反應混合物塗佈於該塑膠基材上，其中該反應混合物含有小分子麻醉劑、功能性單體、起始劑及交聯劑，小分子麻醉劑：功能性單體：交聯劑：起始劑之莫耳比例範圍為1：4：30：0.17~1：4：30：0.85；(b)在具有特定範圍之曝光能量的光源下，使該反應混合物進行曝光，以於該塑膠基材上形成一固化薄膜；及(c)移除該固化薄膜上之小分子麻醉劑，以於該塑膠基材上形成該分子拓印高分子薄膜。本發明方法所製得之分子拓印高分子薄膜具有多數個具有較適宜尺寸之孔洞。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 劉千綺 |
| 承辦人電話 | 03-571-5131 #31181 |
| 承辦人Email | chienchi@mx.nthu.edu.tw |
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