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|---|---|
| 專利名稱(中) | 具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I722502 大陸：6309719 美國：11,121,235 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 黃智方,江政毅,王勝弘,洪嘉慶 |
| 技術領域 | 材料化工,能源科技,電子電機 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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