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專利名稱(中)	蕭特基二極體元件
專利名稱(英)	Schottky barrier diode
專利家族	中華民國：I602308 美國：9,450,111
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	連羿韋,徐碩鴻
技術領域	材料化工,能源科技,電子電機

專利摘要(中)
一種蕭特基二極體元件，包括：一基板、一緩衝層形成於該基板上、一上層形成於該緩衝層上、一第一電極層形成於該上層上作為該蕭特基二極體元件之陽極、一第二電極層設於該上層上作為該蕭特基二極體元件之陰極、一第一n型參雜區形成於該第一電極層之邊緣內側下方的該上層中，且與該第一電極層接觸；其中，該第一n型參雜區的邊緣與該第一電極層的邊緣，於該第一電極層面向該第二電極層的一第一方向上，係相隔一第一既定距離。 A schottky barrier dioide component comprises a substrate, a buffer layer formed on the substrate, a upper layer formed on the buffer layer, a first electrode layer formed on the upper layer as the anode of the schottky barrier dioide component, a second electrode layer formed on the upper layer as the cathode of the schottky barrier dioide component, a first n-type doping region formed in the upper layer beneath the first electrode layer, formed at the inner side of the edge of the first electrode layer and contacting the first electrode layer, wherein the edge of the first electrode layer and the edge of the first electrode layer form a first predetermined distance toward a first direction at which the first electrode layer faces the second electrode layer.

專利摘要(中)

一種蕭特基二極體元件，包括：一基板、一緩衝層形成於該基板上、一上層形成於該緩衝層上、一第一電極層形成於該上層上作為該蕭特基二極體元件之陽極、一第二電極層設於該上層上作為該蕭特基二極體元件之陰極、一第一n型參雜區形成於該第一電極層之邊緣內側下方的該上層中，且與該第一電極層接觸；其中，該第一n型參雜區的邊緣與該第一電極層的邊緣，於該第一電極層面向該第二電極層的一第一方向上，係相隔一第一既定距離。 A schottky barrier dioide component comprises a substrate, a buffer layer formed on the substrate, a upper layer formed on the buffer layer, a first electrode layer formed on the upper layer as the anode of the schottky barrier dioide component, a second electrode layer formed on the upper layer as the cathode of the schottky barrier dioide component, a first n-type doping region formed in the upper layer beneath the first electrode layer, formed at the inner side of the edge of the first electrode layer and contacting the first electrode layer, wherein the edge of the first electrode layer and the edge of the first electrode layer form a first predetermined distance toward a first direction at which the first electrode layer faces the second electrode layer.

聯絡資訊
承辦人姓名	李曉琪
承辦人電話	03-5715131 #31061
承辦人Email	hsiaochi@mx.nthu.edu.tw