專利授權區 | |
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專利名稱(中) | CIGS薄膜太陽能電池的背電極結構 |
專利家族 |
中華民國:I429092 |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 王致喨,施文傑,賴志煌 |
技術領域 | 材料化工,能源科技,光電光學 |
專利摘要(中) |
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本發明提供CIGS薄膜太陽能電池的背電極結構,該CIGS薄膜太陽能電池包含基材、背電極、頂電極,及與背電極、頂電極接觸的Cu(Ga1-xInx)(S1-zSez)2化合物薄膜,化合物薄膜在照光時產生光電流,並由背電極與頂電極配合將光電流向外導出運用,特別的是,以原子百分比計,背電極的組成具有大於50%的鉬,及共濺鍍且摻雜濃度不低於34%且能形成緻密金屬氧化物之金屬元素,其中,金屬元素是選自鋁、鉻、鈦、鎂、鉭、鈮、鋯,或鉿,且摻雜濃度以34%~39%較佳,本發明以鉬摻雜特定金屬元素使得背電極的可靠度大幅提升,並展現較佳的反射率與電極的所需特性。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 楊美茹 |
承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |