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專利名稱(中) | 半導體之貫孔內連接線的製造方法 |
專利名稱(英) | METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECTING LINES INSIDE VIA HOLES OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
專利家族 |
中華民國:I482240 美國:8,679,974 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 林佳漢,李豐宇,方維倫 |
技術領域 | 機械結構,電子電機 |
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一種半導體之貫孔內連接線的製造方法,包含以下步驟:首先,提供一具有一容槽及一連接表面的模板,該容槽與該連接表面位於該模板的同一側;接著於該容槽內填入一導電材料;將一具有至少一貫孔的基板與該連接表面相接,使該貫孔與該容槽連通;然後加熱該導電材料至一工作溫度,使部分該導電材料形成液態,並由該容槽往該貫孔流入;以及冷卻該導電材料,使該導電材料於該貫孔形成一內連接線。據此,本發明藉由加熱成形的方法製造該內連接線,不僅步驟簡單,節省製程時間,進而可提高製程上的良率及效率且降低製作成本。 |
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承辦人姓名 | 劉千綺 |
承辦人電話 | 03-571-5131 #31181 |
承辦人Email | chienchi@mx.nthu.edu.tw |