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| 專利名稱(中) | 具幾何結構之二維半導體及形成方法 |
| 專利名稱(英) | TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR WITH GEOMETRY STRUCTURE AND GENERATING METHOD THEREOF |
| 專利家族 |
中華民國：I683786 大陸：CN111009452B 美國：11,139,371 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 李奕賢,陳奕彤,韓羽唯,張鋅權,楊東翰 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 本发明公开了一种具几何结构的二维半导体的形成方法，其包含下列步骤：形成纳米层；将设置二维材料于一基板上；形成媒介层于二维材料上；自基板上转移媒介层与二维材料至该纳米层；去除媒介层，使该二维材料留在该纳米层的表面上。通过具几何结构的二维半导体的形成方法，利用纳米微结构来提升并控制二维材料在场发射效应及光子激发效率上。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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