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| 專利名稱(英) | STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY LIGHT EMITTING TRANSISTOR |
| 專利家族 |
中華民國：I559537 大陸：3010461 美國：9,502,602 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 吳濬宏,邱紹諺,鄭克勇,楊偉臣,王佑立,張庭輔,李奕辰,黃智方 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
|---|
| A structure of high electron mobility light emitting transistor comprises a substrate, a HEMT region disposed on the substrate, and a gallium nitride LED (GaN-LED) region disposed on the substrate. A two-dimensional electron gas layer is present in each of the HEMI region and the LED region, and the HEMT region is coupled to the LED region through the two-dimensional electron gas layer. |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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