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| 專利名稱(中) | 半導體結構 |
| 專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
| 專利家族 |
中華民國：I544622 大陸：3453251 美國：9,412,807 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 江政毅,徐華志,張庭輔,黃智方 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種半導體結構，包含：一基板，具有一第一傳導類型之半導體材料；一磊晶層，設置於基板上，並具有第一傳導類型之半導體材料；一主動區，半導體結構之工作區域；以及一邊緣保護區，用以保護該主動區。其中，邊緣保護區中之JTE區為第二傳導類型之半導體材料；反向摻雜區設置於JTE區中且為第一傳導類型之半導體材料；以及反向摻雜區中第一傳導類型之半導體材料濃度沿一方向遞增。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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