![]() |
|
---|---|
專利名稱(中) | 半導體結構 |
專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
專利家族 |
中華民國:I544622 大陸:3453251 美國:9,412,807 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 江政毅,徐華志,張庭輔,黃智方 |
技術領域 | 電子電機 |
![]() |
---|
本發明提供一種半導體結構,包含:一基板,具有一第一傳導類型之半導體材料;一磊晶層,設置於基板上,並具有第一傳導類型之半導體材料;一主動區,半導體結構之工作區域;以及一邊緣保護區,用以保護該主動區。其中,邊緣保護區中之JTE區為第二傳導類型之半導體材料;反向摻雜區設置於JTE區中且為第一傳導類型之半導體材料;以及反向摻雜區中第一傳導類型之半導體材料濃度沿一方向遞增。 |
![]() |
|
---|---|
承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |