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|---|---|
| 專利名稱(英) | Method of Fabricating Silicon Carbide(SiC) Layer |
| 專利家族 |
中華民國：I449087 美國：7,763,529 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 陳建成,黃智方,黃振昌,陳威佑 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
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| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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