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| 專利名稱(中) | 穩定性佳的量子點及其製作方法 |
| 專利名稱(英) | Quantum dot with excellent stability and method for making the same |
| 專利家族 |
中華民國：I741954 大陸：CN114958334A(公開號) 美國：US11685861B2 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 陳學仕,葉常偉 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 一種穩定性佳的量子點，其包括由M1C1第一化學式所構成的M1C1核及多個由M2C2第二化學式所構成的M2C2內殼。M1C1核的表面包括第一族群晶面與第二族群晶面。第一、二族群晶面各具有多個晶面。第一族群晶面的各晶面皆為非氧化晶面且第二族群晶面的各晶面皆為氧化晶面。各M2C2內殼分別對應成長在M1C1核的第一族群晶面的各晶面上。M1是至少一選自由下列所構成的群組的元素：Al、Ga，及In，C1是至少一選自由下列所構成的群組的元素：P，及As。M2是至少一選自由下列所構成的群組的元素：Zn、Pb、Ag、Cu、Mn、Cd，及Mg，C2是至少一選自由下列所構成的群組的元素：S、Se、O、F、Cl、Br、I，及Te。借由各M2C2內殼能避免各M1C1核遭受蝕刻劑的蝕刻以穩定地控制各M1C1核的粒徑。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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