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| 專利名稱(中) | 場發射奈米碳管電極及其製造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I231518 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 蔡宗岩,林諭男,戴念華 |
| 技術領域 | 材料化工,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種場發射奈米碳管電極及其製造方法，是以製程簡單、生產成本低的製造方法，製造以奈米碳管作為電子發射源的場發射奈米碳管電極。該製造方法是先以低溫共燒陶瓷製程製作一具有積集化內連接線路的陶瓷基板，再以包含奈米碳管的奈米碳管漿料網印在具有積集化內連接線路的陶瓷基板上形成發射源，最後依序經過熱處理與燒結處理後，即可得到臨界電壓低至1.9V/μm、場發射性質良好的場發射奈米碳管電極。 |
| 專利摘要(英) |
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| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 蔡昀臻 |
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