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專利名稱(英) Method for Forming Substrates for MOS Transistor Components and Its Products
專利家族 中華民國:I303677
美國:7,678,633
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 李昆育,李毅君,洪銘輝,郭瑞年,李威縉,吳彥達,張翔筆
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
自行申請補件
聯絡資訊
承辦人姓名 李佳玲
承辦人電話 03-5715131 #62300
承辦人Email cl.lee@mx.nthu.edu.tw
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