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專利名稱(中) CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法
專利名稱(英) CMOS-MEMS RESONANT TRANSDUCER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
專利家族 中華民國：I562224
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 李銘晃,陳昭瑜,李昇憲
技術領域 通信傳輸,機械結構,電子電機
專利摘要(中)
本發明提供一種CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法，藉由精確蝕刻的雙端自由樑結構，可以高良率製程提供具有窄間隙(＜500nm)的CMOS-MEMS諧振換能器，此外，透過設置在諧振主體底部的氮化鈦材料層，可有效降低因靜電導致的頻率偏移，本發明還適用於各式尺度之CMOS-MEMS平台製程，提供製程以及結構設計上的靈活性。
聯絡資訊
承辦人姓名 劉千綺
承辦人電話 03-571-5131 #31181
承辦人Email chienchi@mx.nthu.edu.tw
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