![]() |
|
---|---|
專利名稱(中) | 微影裝置、微粒檢測方法以及半導體製程 |
專利名稱(英) | PHOTOLITHOGRAPH APPARATUS, METHOD FOR INSPECTING PARTICLES AND SEMICONDUCTOR PROCESS |
專利家族 |
中華民國:202503417(公開號) 美國:2025-0020570(公開號) |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 林本堅,高蔡勝,陳柏熊,呂柏勳,羅孟承 |
技術領域 | 光電光學,電子電機 |
![]() |
---|
一種微粒檢測方法,適於檢測基材上的微粒。此微粒檢測方法包括:將基材置於載台上;提供檢測輻射以照射於基材上,其中檢測輻射適於激發基材上之微粒以發出二次輻射;以及偵測二次輻射以確認基材上是否存在有微粒並偵測微粒之位置。 |
![]() |
---|
A particle inspection method for inspecting particles on a substrate is provided. The particle inspection method includes: disposing the substrate on a carrying stage; providing an inspection radiation to irradiate on the substrate, wherein the inspection radiation is suitable for exciting the particles on the substrate to irradiate a secondary radiation; and ensuring whether particles exist and finding the locations of particles if the particles exist on the substrate by detecting the secondary radiation. |
![]() |
|
---|---|
承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |