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專利名稱(中) 微影裝置、微粒檢測方法以及半導體製程
專利名稱(英) PHOTOLITHOGRAPH APPARATUS, METHOD FOR INSPECTING PARTICLES AND SEMICONDUCTOR PROCESS
專利家族 中華民國:202503417(公開號)
美國:2025-0020570(公開號)
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 林本堅,高蔡勝,陳柏熊,呂柏勳,羅孟承
技術領域 光電光學,電子電機
專利摘要(中)
一種微粒檢測方法,適於檢測基材上的微粒。此微粒檢測方法包括:將基材置於載台上;提供檢測輻射以照射於基材上,其中檢測輻射適於激發基材上之微粒以發出二次輻射;以及偵測二次輻射以確認基材上是否存在有微粒並偵測微粒之位置。
專利摘要(英)
A particle inspection method for inspecting particles on a substrate is provided. The particle inspection method includes: disposing the substrate on a carrying stage; providing an inspection radiation to irradiate on the substrate, wherein the inspection radiation is suitable for exciting the particles on the substrate to irradiate a secondary radiation; and ensuring whether particles exist and finding the locations of particles if the particles exist on the substrate by detecting the secondary radiation.
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承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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