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| 專利名稱(中) | 具有超寬吸收放射差的奈米晶及其製法 |
| 專利名稱(英) | Nanocrystal with large absorption/emission difference and method for making the same |
| 專利家族 |
中華民國：I671916 大陸：CN110396402B 美國：US 11,401,466 B2 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 楊貽晴,陳學仕 |
| 技術領域 | 材料化工,通信傳輸,能源科技 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種具有超寬吸收放射差的奈米晶，包含一由光電半導體化合物所構成的單晶體並包括一摻雜區及至少兩未摻雜區。摻雜區具有A1XA21-XB之第一化學結構式，並具有一內部及一包覆內部的外部，且A2為摻雜區中的摻質。未摻雜區是分散於摻雜區內部並具有一A1B之第二化學結構式，且第二化學結構式中的A1相同於第一化學結構式中的A1。A1與A2是選自1價、2價或3價金屬陽離子，B是選自2價或3價陰離子，但有條件的是，A1不等於A2。第一化學結構式的能隙大於第二化學結構式，且摻雜區內部的摻質濃度是低於足以令單晶體具有一至少大於350 nm的吸收放射差。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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