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專利名稱(中) 半導體異質結構及包含其之場效電晶體與光感測器
專利名稱(英) SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PHOTODETECTOR INCLUDING THE SAME
專利家族 中華民國:I739274
美國:11,296,250
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 黃暄益,李安庭,譚至善,謝沛倫
技術領域 光電光學,電子電機
專利摘要(中)
本發明提供一種半導體異質結構,其包含一底層半導體、一頂層半導體以及一電極基板。底層半導體之一上表面包含一第一晶面,頂層半導體之一下表面包含一第二晶面,且頂層半導體之下表面與底層半導體之上表面接觸,電極基板設置於底層半導體之下方。藉此,通過兩種不同半導體之間的不同晶面組合進行電性接觸,來觀察與晶面相關的特性,並應用在電子或光學裝置。
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承辦人姓名 施惠婷
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