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| 專利名稱(中) | 半導體異質結構及包含其之場效電晶體與光感測器 |
| 專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PHOTODETECTOR INCLUDING THE SAME |
| 專利家族 |
中華民國：I739274 美國：11,296,250 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 黃暄益,李安庭,譚至善,謝沛倫 |
| 技術領域 | 光電光學,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種半導體異質結構，其包含一底層半導體、一頂層半導體以及一電極基板。底層半導體之一上表面包含一第一晶面，頂層半導體之一下表面包含一第二晶面，且頂層半導體之下表面與底層半導體之上表面接觸，電極基板設置於底層半導體之下方。藉此，通過兩種不同半導體之間的不同晶面組合進行電性接觸，來觀察與晶面相關的特性，並應用在電子或光學裝置。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 周家鳳 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #34576 |
| 承辦人Email | cf.chou@mx.nthu.edu.tw |
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