![]() |
|
---|---|
專利名稱(中) | 半导体结构 |
專利家族 |
中華民國:I544622 大陸:3453251 美國:9,412,807 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 江政毅,徐華志,張庭輔,黃智方 |
技術領域 | 電子電機 |
![]() |
---|
本发明提供一种半导体结构,包含:一基板,具有一第一传导类型的半导体材料;一外延层,设置于基板上,并具有第一传导类型的半导体材料;一主动区,为半导体结构的工作区域;以及一边缘保护区,用以保护该主动区。其中,边缘保护区中的JTE区为第二传导类型的半导体材料;反向掺杂区设置于JTE区中且为第一传导类型的半导体材料;以及反向掺杂区中第一传导类型的半导体材料浓度沿一方向递增。 |
![]() |
|
---|---|
承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |