專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構 |
專利名稱(英) | STRUCTURE OF U-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
專利家族 |
中華民國:I663725 大陸:5167330 美國:10,468,519 |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 江政毅,黃智方 |
技術領域 | 電子電機 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |