本發明提供一種溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構(UMOSFET)之結構, 結構包含: 一金屬層分別設置於結構之一上表面與一底面,以分別形成一源極與一汲極,以做為結構與外界連結之電極; 一N 型半導體基板, 設置於汲極上; 一N 型漂移區(N-dri ft region),設置於N 型半導體基板上;一N 型電流分散層(N-cur rent spread layer , N-CSL), 設置於N 型漂移區上; 一P 型井(P-wel l ), 設置於電流分散層上; 一N 型半導體層, 設置於P 型井上; 一第一P 型半導體層, 相鄰於N 型半導體層並設置於P 型井上; 一溝槽延伸通過N 型半導體層、P 型井以及N型電流分散層, 溝槽之底部終止於N 型漂移區; 一絕緣層設置於溝槽內; 一分離閘極(spl i t gate)設置於溝槽之絕緣層中並被該絕緣層所包覆; 一閘極設置於溝槽之絕緣層中且在分離閘極之上;以及一半導體保護層,設置於溝槽之底部以下,並相鄰於N型漂移區,且絕緣層設置於半導體保護層之上,用以在結構關斷偏壓時,保護絕緣層被電場所擊穿;其中,閘極與分離閘極係被絕緣層所區隔出一預設間距;以及,閘極之底部深度位置係深於該P 型井與該N 型電流分散層之交界面。 |