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| 專利名稱(中) | 離子敏感場效電晶體及其製造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I400443 美國：8,008,691 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 果尚志,葉哲良 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明揭露一種離子敏感場效電晶體，其具有：一氮化鎵/藍寶石層，用以充當一基板；一a-InN:Mg磊晶層，沉積於該氮化鎵/藍寶石層之上以提供一電流路徑；一第一金屬接點，沉積於該a-InN:Mg磊晶層之上以提供一汲極接點；一第二金屬接點，沉積於該a-InN:Mg磊晶層之上以提供一源極接點；以及一圖案化絕緣層，覆蓋於該第一金屬接點、該第二金屬接點及該a-InN:Mg磊晶層之上，其中該圖案化絕緣層具有一接觸窗口以界定該a-InN:Mg磊晶層之曝露區域。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 劉千綺 |
| 承辦人電話 | 03-571-5131 #31181 |
| 承辦人Email | chienchi@mx.nthu.edu.tw |
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