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| 專利名稱(中) | 磁阻式传感器及其制造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I815237 大陸：CN 116243225 A(公開號) 美國：US-2023-0176149-A1(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 賴志煌,李佳璋,顏俞申 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 本发明提供一种磁阻式传感器及其制造方法。所述方法包括：形成环形的初始参考层，其中初始参考层包括反铁磁层与铁磁层；对初始参考层进行热处理，其中在热处理的升温期间铁磁层产生沿涡形路径定向的磁化方向，且其中在热处理的降温期间反铁磁层与铁磁层的介面处产生沿涡形路径定向的交换偏压；将初始参考层图案化为彼此分离的多个参考层，其中多个参考层分别为扇环状，且多个参考层沿着所述涡形路径排列；形成多个间隔层以及多个自由层，以形成多个磁阻元件；以及对多个磁阻元件进行绕线。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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