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專利名稱(中) 具有超寬吸收放射差的奈米晶及其製法
專利名稱(英) Nanocrystal with large absorption/emission difference and method for making the same
專利家族 中華民國:I671916
大陸:CN110396402A(公開號)
美國:US2019/0322931A1(公開號)
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 楊貽晴,陳學仕
技術領域 材料化工,通信傳輸,能源科技
專利摘要(中)
具有超宽吸收放射差的纳米晶及其制法,纳米晶包含光电半导体化合物所构成并包括掺杂区及未掺杂区的单晶体。掺杂区具A1XA21-XB第一化学结构式,并具内部及包覆内部的外部,A2为掺杂区的掺质。未掺杂区分散于内部并具A1B第二化学结构式,第一、二化学结构式中的A1相同。A1与A2选自1价、2价或3价金属阳离子,条件是A1不等于A2,B选自2价或3价阴离子,x小于1。第一化学结构式的能隙大于第二化学结构式,且掺杂区内部的掺质浓度足够低以致使单晶体具至少大于350nm的吸收放射差。通过掺杂区的第一化学结构式的能隙大于未掺杂区的第二化学结构式的能隙,与掺杂区的内部的掺质浓度足够低以致使单晶体的吸收放射差至少大于350nm以扩增纳米晶于下游应用端的广度。
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承辦人姓名 蔡昀臻
承辦人電話 03-5715131 #31036
承辦人Email yunchen@mx.nthu.edu.tw
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