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| 專利名稱(中) | 具幾何結構之二維半導體及形成方法 |
| 專利名稱(英) | TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR WITH GEOMETRY STRUCTURE AND GENERATING METHOD THEREOF |
| 專利家族 |
中華民國：I683786 大陸：CN111009452B 美國：11,139,371 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 李奕賢,陳奕彤,韓羽唯,張鋅權,楊東翰 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 在此揭露一種具幾何結構之二維半導體的形成方法，其包含下列步驟：形成奈米層；設置二維材料於一基板上；形成媒介層於二維材料上；自基板上轉移媒介層與二維材料至該奈米層；去除媒介層，使該二維材料留在該奈米層的表面上。透過具幾何結構之二維半導體的形成方法，利用奈米微結構來提升並控制二維材料在場發射效應及光子激發效率上。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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