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| 專利名稱(中) | 場效電晶體型感測器 |
| 專利名稱(英) | Field Effect Transistor Based Sensor |
| 專利家族 |
中華民國：I375029 美國：7,829,918 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 果尚志,葉哲良 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明揭露一種場效電晶體型感測器。根據本發明之一具體實施例之場效電晶體型感測器包含基板、氮化銦材料層、源極以及汲極。氮化銦材料層形成於基板之上並且具有上表面，並且上表面其上提供一檢體反應區域。氮化銦材料層作為介於源極及汲極間之電流通道。藉此，吸附至檢體反應區域之檢體引發流動於電流通道中之電流之變化，並且該變化進一步係解譯成關於該檢體之一特性。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 施惠婷 |
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