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專利名稱(中)	半導體內連線結構及其製造方法
專利名稱(英)	SEMICONDUCTOR INTERCONNECT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
專利家族	中華民國：I573208
專利權人	國立清華大學 100.00%
發明人	梁正庸,葉昭輝,邱博文
技術領域	材料化工,電子電機

專利摘要(中)
在此提供一種半導體內連線結構及其製造方法。所述半導體內連線結構包括一阻障金屬層、一銅金屬層與一化合物薄膜。所述阻障金屬層形成於一互連線溝槽上，所述銅金屬層形成於阻障層上，而所述化合物薄膜形成於銅金屬層的表面，其中化合物薄膜含有有機銅與非晶碳。因此，這種半導體內連線結構具有降低電阻率的效果。

專利摘要(中)

在此提供一種半導體內連線結構及其製造方法。所述半導體內連線結構包括一阻障金屬層、一銅金屬層與一化合物薄膜。所述阻障金屬層形成於一互連線溝槽上，所述銅金屬層形成於阻障層上，而所述化合物薄膜形成於銅金屬層的表面，其中化合物薄膜含有有機銅與非晶碳。因此，這種半導體內連線結構具有降低電阻率的效果。