專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 具有第IVA族離子佈植的金氧半場效電晶體之結構與製造方法 |
專利名稱(英) | A STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD OF A MOSFET WITH AN ELEMENT OF IVA GROUP ION IMPLANTATION |
專利家族 |
中華民國:I722502 大陸:6309719 美國:11,121,235 |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 黃智方,江政毅,王勝弘,洪嘉慶 |
技術領域 | 材料化工,能源科技,電子電機 |
專利摘要(中) |
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本發明揭露一種具有第IVA族離子佈植的金氧半場效電晶體之結構與方法,第IVA族離子佈植層設置於基極之中,且第IVA族離子佈植層接近於該閘極氧化層與該基極之交界面;其中,第IVA族離子佈植層用來改變結構之一通道的性質。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |