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| 專利名稱(中) | 二維半導體元件、光電單元與二維半導體元件的製造方法 |
| 專利名稱(英) | Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device |
| 專利家族 |
中華民國：I698932 大陸：CN111769201B 美國：11,183,568 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 張鋅權,陳俊安,李奕賢,賴映佑,陳奕彤 |
| 技術領域 | 材料化工,光電光學,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本发明公开了一种二维半导体组件，包括：二维半导体材料层、超强酸作用层与超强酸溶液；其中，二维半导体材料层是由具半导体特性的过渡金属硫化物材料制成，且超强酸作用层是形成于二维半导体材料层之上，本发明的制造方法以氧化物材料制成超强酸作用层，并接着超强酸溶液应用于超强酸作用层，令超强酸溶液可以通过扩散作用进入超强酸作用层之中，并且，实验结果证实，利用扩散作用令超强酸溶液被包含于所述超强酸作用层之中，这样不仅可以使用超强酸溶液对二维半导体材料层执行化学处理，同时超强酸溶液于二维半导体材料层之上所实现的发光效率增强效果，其亦不会因为二维半导体材料层于进行后续制程步骤时接触水与/或有机溶剂而消失。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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