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| 專利名稱(中) | 原子層沉積方法及鈷金屬膜 |
| 專利名稱(英) | ATOMIC LAYER DEPOSITION AND COBALT METAL FILM |
| 專利家族 |
中華民國：I740046 美國：10,522,361 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 劉瑞雄,葉昭輝,梁正庸,邱博文 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種原子層沉積方法及利用所述方法形成的鈷金屬膜。所述原子層沉積方法包括以下步驟。將基板置於反應腔室中。進行至少一個沉積循環，以在基板上沉積金屬膜。其中至少一個沉積循環包括以下步驟。向反應腔室中通入金屬前驅物。通入氫電漿，以與吸附在基板上的金屬前驅物發生反應，並形成金屬膜。對金屬膜進行退火製程。其中至少一個沉積循環是在紫外光照射及氫氣氣氛下進行的。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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