專利授權區 | |
---|---|
專利名稱(中) | 用於多層半導體裝置的檢測方法 |
專利名稱(英) | INSPECTION METHOD FOR MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE |
專利家族 |
中華民國:I777576 美國:11,313,670 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 衛子健,徐米克,黎德英 |
技術領域 | 光電光學 |
專利摘要(中) |
---|
本發明提供一種用於多層半導體裝置的檢測方法。此檢測方法可以調查多層半導體裝置的多層集合體,並通過利用關注材料的吸收邊緣(absorption edges)並獲得校正品質曲線來獲得多層半導體裝置中每一層的層厚度地圖(stratigraphic thickness map, ST map)。 |
聯絡資訊 | |
---|---|
承辦人姓名 | 李馥如 |