專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 高電子遷移率發光電晶體之結構 |
專利家族 |
中華民國:I559537 大陸:3010461 美國:9,502,602 |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 張庭輔,王佑立,鄭克勇,邱紹諺,吳濬宏,李奕辰,楊偉臣,黃智方 |
技術領域 | 電子電機 |
專利摘要(中) |
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本發明提供一種高電子遷移率發光電晶體之結構,結構包含:基板;高遷移率電晶體(簡稱HEMT)區設置於基板上;氮化鎵發光二極體(GaN-LED,簡稱LED)區設置於該基板上;其中,HEMT區與LED區皆存在二維電子氣層,且HEMT區係透過二維電子氣層耦接LED區。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |