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| 專利名稱(中) | 磁性記錄裝置的製造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I298876 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 楊政翰,賴志煌 |
| 技術領域 | 材料化工,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種磁性記錄裝置的製造方法,是先依序在基材上形 成底層與磁性記錄層,再以氦離子佈植於磁性記錄層之一 第一區域區域,使第一區域中的多數原子規則排列而成為 一序化區域,並同時可以非磁性元素離子佈植於磁性記錄 層之一第二區域,使第二區域中成為一非磁區域。本發明 以離子佈植之直接能量轉換方式而無須後退火製程,即可 使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序 化區域,且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度,進而增加記 錄儲存密度。此外,由於離子束具有可聚焦特性或是結合 光罩的方式,可進行記錄媒體規則圖案之直接繪製。 |
| 專利摘要(英) |
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| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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