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專利名稱(中) | 化學氣相沈積生成石墨烯之方法 |
專利名稱(英) | CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF GRAPHENE ON DIELECTRICS |
專利家族 |
中華民國:I434949 美國:8,871,302 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 鄧博元,林永昌,邱博文 |
技術領域 | 材料化工,電子電機 |
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本發明提供一種生成石墨烯之方法,能將單層或多層石墨烯直接生成於介電材質上。此方法包括以下步驟:將一介電材質及一金屬設置於一反應器;通入一反應氣體至反應器,且反應氣體經加熱裂解;以及直接沈積一薄膜於介電材質之一表面上。其中,此方法所成長之石墨烯具有高品質低缺陷的特性,免除蝕刻與轉移的步驟,極具潛力整合於生醫、電子、光電元件之應用。 |
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承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |