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| 專利名稱(中) | 形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法及其製品 |
| 專利家族 |
中華民國：I303677 美國：7,678,633 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 李昆育,李威縉,李毅君,吳彥達,洪銘輝,張翔筆,郭瑞年 |
| 技術領域 | 材料化工,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法,包含下列步驟:(A)在一壓力為1�10-6Torr以下之減壓環境中提供一完成表面重建之基底及一固態金屬氧化物源,其中,該固態金屬氧化物源是選自於下列所構成之群組:氧化鉿、氧化鋁、氧化鈧、氧化釔、氧化鈦、氧化鎵釓及稀土族金屬氧化物:及(B)氣化該固態金屬氧化物源,致使該固態金屬氧化物源呈相互鍵結的金屬氧化物分子束,並在一低於該固態金屬氧化物源之再結晶溫度的工作溫度下,於該基底上沉積一呈非晶態的第一金屬氧化物膜,進而製得一形成金氧半電晶體元件用之基板。 |
| 專利摘要(英) |
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| 自行申請補件 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 施惠婷 |
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